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资本贪婪无止境,闪存厂商为牟取暴利不惜技术降级

2018-10-18 01:26| 发布者: 井冈山卫士| 查看: 1444| 评论: 0|原作者: 铁流

摘要: 在经历了SLC、MLC、TLC的“技术降级”之后,全球消费者无奈的只能接受QLC时代的到来。闪存SLC、MLC、TLC、QLC的降级之路,充分体现出了资本的贪婪。

前不久,Intel发布了全新的SSD 660p,这款SSD的单GB价格不到0.2美元,最大的“特色”是采用的是QLC闪存,最高连续读写速度可达1800MB/s。

在经历了SLC、MLC、TLC的“技术降级”之后,全球消费者无奈的只能接受QLC时代的到来。闪存SLC、MLC、TLC、QLC的降级之路,充分体现出了资本的贪婪。

资本贪婪无止境,闪存厂商为牟取暴利不惜技术降级

先介绍下SLC、MLC、TLC、QLC。

SLC全称Single-Level Cell,每Cell仅存放1bit数据,速度快寿命长,价格非常昂贵,价格至少是MLC数倍。

MLC全称Multi-Level Cell,每Cell仅存放2bit数据,速度一般寿命一般。

TLC全称Trinary-Level Cell,每Cell仅存放3bit数据,速度慢寿命短,价格便宜。

QLC则每个Cell单元储存4个数据,相对于TLC而言,成本更低、容量更大、寿命更短。

资本贪婪无止境,闪存厂商为牟取暴利不惜技术降级

为什么SLC速度快寿命更长呢?SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据,故只有高和低2种电平状态。而MLC架构每Cell需要存放2个bit,即电平至少要被分为4档,TLC则为8档,QLC则为16档。

SLC每Cell只有开和关两种状态,非常稳定,就算其中一个Cell损坏,对整体的性能也不会有影响。而MLC有四种状态,意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压,读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性,而且一旦出现错误,就会导致2倍及以上的数据损坏。

而SLC价格更贵的原因在于SLC的一个Cell只存1bit数据,MLC、TLC、QLC的一个Cell却能存2bit或者更多的bit数据,但芯片的体积并没增加,等于压缩存储了数据,这样的结果就是相同的一块芯片存储的容量变大,因此,MLC、TLC、QLC的自然价格就便宜了。

事实上,正是因为SLC价格高、寿命长、速度快,因而很少被用于民用产品,哪怕是某些实际成本200美元,售价高达六七千人民币的高端手机,依旧使用MLC或TLC。甚至苹果手机还发生过因混用MLC和TLC闪存,结果导致苹果用户开机测试后,退换采用TLC闪存手机的情况。

目前,SLC在消费电子领域几乎绝迹,MLC也越来越少,TLC已经成为主流。而本次Intel发布QLC闪存的SSD,则吹响了QLC进攻的号角。

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诚然,媒体报道Intel第一代64层QLC闪存其实良品率很低,只有48%,因而价格相对于TLC没啥优势。不过,随着QLC的进一步量产,良率会越来越高。

另外,闪存厂商的另一大毒瘤,韩国三星在这方面恐怕也会迅速跟进,毕竟三星为了钱已经丧心病狂,操纵存储芯片市场价格牟取暴利,以至于被发改委约谈。

在消费市场上,三星的TLC SSD卖的比东芝的MLC SSD还要贵。在有了QLC这一控制成本的大杀器之后,三星必然跟进。届时,Intel、三星、SK海力士等国际大厂会逐步在消费电子领域把TLC替换掉,正如早些年MLC替换SLC,TLC替换MLC。

资本贪婪无止境,闪存厂商为牟取暴利不惜技术降级

不过,国外大厂主推QLC对中国闪存厂商来说,可能是一个机会。

由于QLC过于“时髦”,以长江存储为代表的存储芯片厂商,开发的32层NAND,以及正在研发的64层NAND还都是TLC。根据赵伟国的讲话,紫光会在2018 年底量产32 层64G 的NAND Flash,在2019 年量产64 层128G 的NAND Flash,并同步研发128 层256G 的NAND Flash。

资本贪婪无止境,闪存厂商为牟取暴利不惜技术降级

在国外大厂大力推销的QLC良率还没上去的时候,Intel、三星的QLC在成本上并不会比国产TLC成本低多少。即便长江存储的TLC价格贵一些,但因TLC相对于QLC具有一定优势,想必还是有不少消费者会因支持国货的情怀和TLC相对于QLC的优势,去采购搭载长江存储闪存的SSD。

【本文原载微信公众号“铁流”,原标题《QLC闪存到来 资本贪婪无止境》。】


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